GTO snubber capacitor katika vifaa vya umeme vya nguvu

Maelezo Fupi:

Mizunguko ya snubber ni muhimu kwa diode zinazotumiwa katika mzunguko wa kubadili.Inaweza kuokoa diode kutoka kwa spikes za overvoltage, ambayo inaweza kutokea wakati wa mchakato wa kurejesha reverse.

Tutumie barua pepe Pakua kama PDF

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Data ya kiufundi

Kiwango cha joto cha uendeshaji	Joto la juu zaidi
safu ya uwezo	0.22 ~3μF
Ilipimwa voltage	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Kuhimili voltage	1.35Un DC/10S
Sababu ya kutoweka	tgδ≤0.001 f=1KHz
Upinzani wa insulation	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (saa 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (katika 20℃ 100V.DC 60S)
Kuhimili mkondo wa mgomo	tazama hifadhidata
Matarajio ya maisha	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Kiwango cha marejeleo	IEC 61071 ;

Kipengele

1. Mkanda wa Mylar, Umefungwa kwa resin;

2. Shaba nut inaongoza;

3. Upinzani wa voltage ya juu, tgδ ya chini, kupanda kwa joto la chini;

4. ESL ya chini na ESR;

5. Mpigo wa juu wa sasa.

Maombi

1. GTO Snubber.

2. Sana kutumika katika vifaa vya umeme wakati kilele voltage, kilele sasa ngozi ulinzi.

Mzunguko wa kawaida

Mchoro wa muhtasari

Vipimo

Un=3000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Uwezo(μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70