Kisafishaji cha Filamu chenye Mkondo wa Juu kwa Mashine ya Kulehemu (SMJ-TC)

Maelezo Mafupi:

Mfano wa Kifaa cha Kubebea: SMJ-TC

Vipengele:

1. Elektrodi za karanga za shaba

2. Ukubwa mdogo wa kimwili na usakinishaji rahisi

3. Teknolojia ya uunganishaji wa tepi ya Mylar

4. Kujaza resini kavu

5. Uingizaji wa Mfululizo Sawa wa Chini (ESL) na Upinzani Sawa wa Mfululizo (ESR)

Maombi:

1. GTO Snubber

2. Voltage ya Kilele na Ufyonzaji wa Mkondo wa Kilele na Ulinzi wa Kipengele cha Kubadilisha katika Vifaa vya Kielektroniki

Saketi za snubber ni muhimu kwa diode zinazotumika katika saketi za kubadili. Inaweza kuokoa diode kutokana na miiba ya volteji kupita kiasi, ambayo inaweza kutokea wakati wa mchakato wa kurejesha umeme kinyume.

Tutumie barua pepe Pakua kama PDF

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Data ya kiufundi

Kiwango cha halijoto ya uendeshaji	Kiwango cha Juu. Halijoto ya uendeshaji., Juu, kiwango cha juu: + 85℃ Halijoto ya juu ya kategoria: + 85℃ Halijoto ya chini ya kategoria: -40℃
anuwai ya uwezo	0.22～3μF
Volti iliyokadiriwa	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	± 5%(J) ;± 10%(K)
Kuhimili voltage	1.35Un DC/10S
Kipengele cha utowekaji	tgδ≤0.001 f=1KHz
Upinzani wa insulation	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (katika 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (katika 20℃ 100V.DC 60S)
Kuhimili mkondo wa mgomo	tazama laha ya data
Matarajio ya maisha	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Kiwango cha marejeleo	IEC 61071;

Kipengele

1. Tepu ya Mylar, Imefungwa kwa resini;

2. Risasi za kokwa za shaba;

3. Upinzani dhidi ya volteji ya juu, tgδ ya chini, ongezeko la joto la chini;

4. ESL na ESR ya chini;

5. Mkondo wa mapigo ya juu.

Maombi

1. Mnyonge wa GTO.

2. Hutumika sana katika vifaa vya umeme vya umeme wakati voltage ya kilele, ulinzi wa kunyonya kwa mkondo wa kilele.

Mzunguko wa kawaida

Mchoro wa muhtasari

Vipimo

Un=3000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Uwezo (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70