Bei ya Chini Zaidi kwa Kifaa cha Kupitisha Kifaa cha Kupitisha Kifaa cha Masafa ya Kati - Ubunifu wa Kifaa cha Kupitisha Kifaa cha Kupitisha Kifaa cha IGBT cha hali ya juu kwa matumizi ya nguvu kubwa – CRE

Bei ya Chini Zaidi kwa Kifaa cha Kupitisha Kifaa cha Kupitisha Kifaa cha Masafa ya Kati - Ubunifu wa kifaa cha juu cha IGBT Snubber kwa matumizi ya nguvu kubwa - CRE Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Mafupi:

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Video Inayohusiana

Maoni (2)

Nukuu za haraka na za ajabu, washauri wenye ujuzi kukusaidia kuchagua bidhaa sahihi zinazokidhi mahitaji yako yote, muda mfupi wa utengenezaji, udhibiti bora wa ubora unaowajibika na makampuni tofauti ya kulipia na kusafirisha bidhaa kwa ajili yaKifaa cha Kubadilisha Mara kwa Mara cha Dc-Link , Kifaa cha Kudhibiti Nguvu kwa Kiungo cha Dc , Kifaa cha Kuingiza cha Kvar cha JuuKwa kuwakaribisha makampuni yenye nia ya kushirikiana nasi, tunatarajia kupata fursa ya kufanya kazi na makampuni kote ulimwenguni kwa ajili ya ukuaji wa pamoja na mafanikio ya pande zote mbili.

Bei ya Chini Zaidi kwa Kifaa cha Kupitisha Kifaa cha Kupitisha Kifaa cha Masafa ya Kati - Ubunifu wa kifaa cha juu cha IGBT Snubber kwa matumizi ya nguvu kubwa - Maelezo ya CRE:

Data ya kiufundi

Kiwango cha halijoto ya uendeshaji	Kiwango cha Juu cha Joto la Uendeshaji., Juu, kiwango cha juu: +105℃ Joto la juu la kategoria: +85℃ Joto la chini la kategoria: -40℃
anuwai ya uwezo	0.1μF～5.6μF
Volti iliyokadiriwa	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	± 5%(J);± 10%(K)
Kuhimili voltage	1.5Un DC/10S
Kipengele cha utakaso	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Upinzani wa insulation	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (kwa 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(kwa 20℃ 100V.DC 60S)
Kuhimili mkondo wa mgomo	tazama laha ya data
Kuchelewa kwa moto	UL94V-0
Matarajio ya maisha	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
Kiwango cha marejeleo	IEC61071;GB/T17702;

Jedwali la vipimo

Volti	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Kipenyo （mm）
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
Volti	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Kipenyo （mm）
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Volti	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
Volti	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
Volti	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
Volti	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Picha za maelezo ya bidhaa:

Mwongozo wa Bidhaa Unaohusiana:

Tunachukulia "rafiki kwa wateja, inayozingatia ubora, inayojumuisha, na yenye ubunifu" kama malengo. "Ukweli na uaminifu" ni utawala wetu unaofaa kwa Bei ya Chini Zaidi kwa Kifaa cha Kupitisha Mizigo kwa Tanuru ya Uingizaji wa Masafa ya Kati - Ubunifu wa kiwango cha juu cha kipochi cha IGBT Snubber kwa matumizi ya nguvu ya juu - CRE, Bidhaa hii itasambazwa kote ulimwenguni, kama vile: Mauritania, Barcelona, Romania, Tunatumia vifaa vya uzalishaji na teknolojia ya hali ya juu, na vifaa na mbinu bora za upimaji ili kuhakikisha ubora wa bidhaa zetu. Kwa vipaji vyetu vya hali ya juu, usimamizi wa kisayansi, timu bora, na huduma makini, bidhaa zetu zinapendelewa na wateja wa ndani na nje ya nchi. Kwa usaidizi wako, tutajenga kesho bora!

Kifaa cha Kubadilisha Jua Kilichobinafsishwa